【会员论文】西安电子科技大学研究团队关于原位脉冲铟 MOCVD 提高同质外延 (-201) β-Ga₂O₃ 薄膜质量的研究

        西安电子科技大学研究团队在《Applied Physics Letters》发表名为《Enhancing the quality of homoepitaxial (−201) β-Ga₂O₃ thin film by MOCVD with in situ pulsed indium》的论文文章。

        本研究创新性地采用脉冲金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，利用铟脉冲辅助技术优化（-201）β-Ga₂O₃同质衬底上的β-Ga₂O₃薄膜的质量。结果表明，与传统的铟辅助法相比，脉冲铟辅助法有效抑制了Ga₂O的解吸，提高了β-Ga₂O₃薄膜的平坦度，表面粗糙度由34.8 nm降低至0.94 nm。采用脉冲铟生长优化的单晶β-Ga₂O₃薄膜，X射线衍射（XRD）摇摆曲线的半高全宽（FWHM）为30.42 arc sec，小于连续铟辅助制备的β-Ga₂O₃的半高宽（56.1 arc sec）。结合X射线光电子能谱（XPS）O1s分峰拟合分析，脉冲铟辅助显着降低了薄膜中氧空位的相对含量。此外，脉冲铟辅助薄膜的霍尔迁移率比传统铟辅助薄膜高约14倍。脉冲铟技术为高质量β-Ga₂O₃薄膜的同质外延生长提供了思路。

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论文原文：https://doi.org/10.1063/5.0189586