【国际论文】通过 MOVPE 在宽温度范围内从三甲基镓和氧气中沉积 Ga₂O₃ 的研究

        由俄罗斯Ioffe研究所的研究团队在学术期刊《Technical Physics Letters》发布了一篇名为Study of Ga₂O₃ Deposition by MOVPE from Trimethylgallium and Oxygen in a Wide Temperature Range（通过 MOVPE 在宽温度范围内从三甲基镓和氧气中沉积 Ga₂O₃ 的研究）的文章。

摘要

        本研究在广泛的温度范围内，利用三甲基镓和氧气进行金属有机分解气相外延（MOVPE）沉积氧化镓（Ga₂O₃）的研究。发现Ga₂O₃沉积速率与温度的依赖关系与TMGa在氮气中的热解非常接近。这些过程的动力学限制范围对应于550–700°C，比同一反应器中GaN沉积的温度高150°C。

原文链接：https://doi.org/10.1134/S1063785023900807