【专家风采】梁红伟 —— 技术专家委员会委员

梁红伟

博士生导师，教授，大连理工大学集成电路学院院长。现为中国电子学会核电子学与核探测技术分会会员及青年科学家俱乐部会员、中国半导体行业协会集成电路分会人才储备基地专家委员会特聘专家、全国大学生集成电路创新创业大赛专家委员会成员、第三代半导体产教融合发展论坛暨联盟人才发展委员会委员，国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项项目咨询专家组专家、大连市高端人才、大连市半导体行业协会副会长、大连市宽禁带半导体器件集成与系统重点实验室主任，江苏省“双创人才”特聘专家、吉林省及辽宁省科学技术奖励评审专家，大连市科技创业导师。2005年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室获博士学位。主要研究方向为第三代半导体生物传感器、发光器件（紫外、蓝光、绿光及黄光LED）、电力电子器件（HEMT器件）及耐高温、耐辐照探测器件（粒子探测器件及X射线探测器）。研制出的宽禁带半导体辐射探测器应用于中国散裂中子源白光束线，并建立了实验区，支撑了多家单位的核数据获取工作。曾获吉林省科技进步一等奖、辽宁省自然科学二等奖、大连市科技进步三等奖。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划及863重大项目子课题、省市及企业委托项目30余项,发表论文150余篇，获授权发明专利10余项，其中美国发明专利2项。

在氧化镓研究方面，该研究团队是国内率先开展氧化镓MOCVD外延生长的团队之一，主要开展了氧化镓材料的外延生长、掺杂及紫外探测器的研制，实现了开关比>10⁸ @254/365nm 抑制比大于10⁷的紫外探测器件，为单光子探测奠定基础。获美国发明专利1项，中国专利10余项。

成果展示

主要开展氧化镓MOCVD生长及低背景载流子浓度高质量氧化镓厚膜外延技术及器件研究。

专家寄语

氧化镓的独特性能优势，必然在未来大放光彩。