【专家风采】张辉 —— 技术专家委员会委员

个人简介

张辉

浙江大学材料科学与工程学院、杭州国际科创中心双聘教授。目前主要从事氧化镓单晶生长、晶圆加工和缺陷控制的研究。开发了一种具有自主知识产权的新型熔体法氧化镓单晶生长技术——铸造法，并成功获得高质量4英寸氧化镓单晶，衬底的缺陷密度、表面粗糙度以及摇摆曲线半高宽都达到国际先进水平；攻克了直拉法的技术瓶颈，解决了漂浮物与凹界面问题，成功获得2英寸氧化镓单晶；发现了氧化镓化学腐蚀中存在应力与位错主导产生的两种腐蚀坑类型，并通过气氛热处理显著降低了腐蚀坑的密度，提高了晶体质量。已在Nat. Comm., Adv. Mater.等国际著名期刊发表SCI 论文190余篇，被SCI 他引10000余次，H 因子为62；获授权国家发明专利20余项。获浙江省科学技术一等奖（排名第三），获国家自然科学二等奖（排名第二）。入选国家万人“青年拔尖人才”计划，获国家自然科学基金优秀青年基金资助。作为创始人成立杭州镓仁半导体有限公司，进行氧化镓单晶材料的产业化，目前已建成2英寸铸造法量产线并实现4英寸半绝缘和n型衬底的小批量量产。

专家寄语

氧化镓单晶由于性能和生长方法两方面的优势，已成为超宽禁带半导体的明星材料。国内研制的氧化镓器件已处在国际领先水平，但是高质量的氧化镓衬底还依赖进口。我们将立足于解决国家重大需求，坚持自主创新，会持续深耕于氧化镓衬底的研发，努力为我国电力电子等产业的发展提供材料保障。