【会员新闻】重庆市科学技术研究院成功举办“创新渝论”之第三代/四代半导体技术前瞻及重庆产业布局策略研讨圆桌会议

        10月28日，由市科技局和我院共同主办，战略研究院承办的“创新渝论”沙龙之未来产业技术前瞻及重庆布局策略系列圆桌会议第六期在我院创新书吧顺利举行。本期沙龙主题为“第三代/四代半导体技术前瞻及重庆产业布局策略”。会议邀请中国科学院院士郝跃、重庆邮电大学校长高新波、北京大学理学部副主任沈波、派恩杰半导体（杭州）有限公司董事长黄兴、江苏芯港半导体有限公司董事长白俊春、杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基、安意法半导体有限公司总经理张洁、华润微电子（重庆）有限公司研发高级总监郑晨焱8位专家，就半导体技术发展现状及趋势、面临的需求及挑战、重庆发展半导体科技与产业等方面进行深入研讨。市科技局党委书记、局长明炬，重科院党委副书记、院长王愚，市科技局党委委员、副局长许志鹏出席会议，会议由副院长刘斌主持。

        中国科学院院士郝跃、北京大学理学部副主任沈波以及派恩杰半导体（杭州）有限公司董事长黄兴分别作了第三代/第四代半导体技术现状、进展与展望主旨报告。他们认为，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体技术已较成熟，是“新基建”和“中国制造2025”的核心支撑技术之一，也是未来前沿技术的竞争领域，但提高良率、降低成本是当前亟待解决的问题。氧化镓是目前具有潜力成为第四代半导体技术的主要材料之一，可用于高压、低损耗、大功率电子器件电子，电力损耗理论上大约为硅材料的1/3400、碳化硅的1/10，也是各大企业争相布局的重点，但其存在衬底材料质量不高、P型掺杂难度较大、热导率低等三大难题，离商业化规模化产业化还有较大距离。同时，还认为，重庆在半导体方面的人才培养是短板，在渝高校在半导体人才培养方面的优势都不太明显。