【会员风采】会员单位——西安交通大学微电子学院

单位介绍

        西安交通大学微电子学院是在西安交通大学1959年成立的以半导体物理为主要研究方向的“应用物理”专业基础上发展起来的，是国内最早从事半导体技术研究和人才培养的单位之一。学院长期从事微电子领域的教学和科研工作，在微电子专业领域有着深厚的积淀，与国内外众多高校、科研机构和企业开展了广泛的合作与交流，承担了大量的国家级、省部级及横向研究课题，在教学与科研方面取得了丰硕成果，曾获得“全国科学大会奖”、“‘七五’和‘八五’科技攻关重大成果奖”、“电子工业部科学技术进步奖”、“国家教委科学技术进步奖”、“陕西省科技进步奖”等众多奖项。长期以来，扎根西部，精勤育人，开拓创新，为微电子领域的人才培养和技术发展做出了巨大贡献。培养的学生中已有一批成为微电子领域的领军人物及中坚力量，在国内外享有盛誉。

西安交通大学创新港校区

科研基础

        西安交大微电子学院拥有完善的半导体器件工艺和宽禁带半导体器件特性测试平台，装备了先进的结构表征和性能测量设备，一直处于材料微结构与材料透射电子显微学研究的最前沿水平。半导体工艺设备：双面光刻机、超高真空氧化炉、离子注入机、电子束/热蒸发台、磁控溅射系统、高密度等离子体干法蚀刻设备（ICP）、等离子增强型化学气相沉积（PECVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、等；完备的半导体器件测试及可靠性分析平台：包括Keithley半导体参数测试仪、可测量低至10-16 A的电流和进行快速脉冲测试；Lakeshore公司的高低温真空测量系统可在4 ~ 475 K的温度范围内工作；Cascade公司大功率探针台，可进行10000 V和100 A电流的芯片级测量，安捷伦1505大功率器件与模块测试系统可进行10000 V和1500 A的测量系统等。

实验室及部分实验设备

研发团队

         本研究组成立于2020年，依托于西安交通大学微电子学院，为西安交通大学微电子学院半导体功率器件研究团队成员组之一，面向国家战略需求，聚焦电子科学与技术、核科学与技术、电气工程及其自动化等交叉学科领域前沿研究，致力于开展自主知识产权的半导体器件制备及其功能化模块设计。本研究团队是国际上最早开展Ga₂O₃辐射探测领域应用研究的团队之一，目前主要从事（超）宽禁带半导体器件相关研究，包括Ga₂O₃功率器件及其能量转化模块研制，及其它新型宽禁带半导体功能性器件探索工作。目前团队共有青年教师1名，工程师2名，博士研究生2名，硕士研究生3名。近5年发表SCI论文30余篇，EI、国际知名会议论文、中文核心期刊4篇。

研发成果

        （超）宽禁带半导体成为研制新一代电力电子器件、大功率微波器件等的理想材料，并逐步成为提升信息技术、高端装备制造等领域核心竞争力的重要支撑。以氧化镓（Ga₂O₃）为代表的超宽禁带半导体材料及其器件近年来不断获得技术上的突破。Ga₂O₃禁带宽度大，击穿场强高，导通电阻低，Baliga优值（BFOM）明显高于现有Si、SiC、GaN等功率半导体材料，在高压大功率的电力电子器件等应用领域具有巨大的潜力，能满足电子装备对器件更大功率、更高频率、更小体积、更轻重量和更恶劣工作环境等要求，具有广阔和重要的应用前景；此外，宽禁带半导体Ga₂O₃由于其低本征载流子浓度和良好的抗辐照特性，在航空航天、核辐射监测、核电池等领域有良好的应用前景。目前，有关宽禁带半导体在核辐射探测领域的探索和研究整体处于初步阶段。其中，Ga₂O₃具备良好的光电特性和环境友好、易于制备的特点，在光电领域应用广泛，在核辐射探测领域同样具有良好的应用潜力。

        目前，本研发团队在以上两方面均取得了显著的研究成果。

Ga₂O₃功率器件及其相关研究成果

Ga₂O₃ 辐射探测器相关研究结果