【专家风采】周弘 —— 技术专家委员会委员

个人简介

周弘

1990年12月生，西安电子科技大学郝跃院士团队教授，博士生导师，入选国家青年高层次人才计划以及获批优秀青年基金项目。

周博士近 10 年来先后师从IEEE 和 APS Fellow普渡大学杰出教授叶培德、美国工程院士/美国科学奖章获得者胡正明教授以及中国科学院院士郝跃教授。一直从事新型半导体功率器件和材料、微波器件以及逻辑器的结构、工艺与机理研究，包括宽禁带半导体GaN肖特基二极管（SBD）与高电子迁移率晶体管（ HEMT）,超宽禁带半导体 β-Ga₂O₃和 AlN SBDs与 FETs等微波功率与电力电子器件， Si 、InGaAs亚 10 nm节点的 NC -FinFET、GAA。周博士主持科技部重点研发计划课题以及JKW项目等5项。周博士在国际主流期刊和会议上发表学术论文80余篇，其中ESI高被引论文 5篇。以第一或通讯作者在领域顶级期刊包括Nat. Comm、IEEE EDL、IEEE TED、IEEE TPE、IEEE TIE、APL 等期刊上发表论文40余篇；以第一作者在半导体领域顶级会议包括VLSI 和 DRC 上发表会议论文20 余篇；研究成果被国际知名行业杂志志《Compound Semiconductor》 《Semiconductor Today》 《Controlled Environment》 《Nano werk》 《Physorg.com》等近 10 余次报道，在国际会议做特邀告或口头报告 15 次， Google学术引用超过 3500 次。