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专家风采

【专家风采】李园 —— 技术专家委员会委员

2023-07-04

个人介绍

李园

北京工业大学与美国德州大学奥斯汀分校SPEC Lab/Electrical Engineering联合培养博士,硕士生导师,陕西省千人计划入选者,国家级抗辐照应用技术创新中心理事会成员,ICREED 2023 TPC Member。于2021年加入西安电子科技大学郝跃院士团队,主要从事(超)宽禁带半导体功率器件热电特性、动态工况特性和可靠性研究。曾任职于中国航天科技七七二研究所,在宇航集成电路和器件空间辐射效应研究方面积累了丰富的工程经验。近五年,以第一作者发表(超)宽禁带半导体功率器件相关学术论文6篇,包括IEEE Journal of IEEE Transactions on Power Electronics,IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronic,IEEE Transactions on Electron Devices等Top期刊论文;International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics(ISPSD)行业顶级会议论文。近五年,主持国家自然科学基金青年项目、陕西省千人计划项目2项;作为核心人员参与某部重点项目3项。

团队合照

成果展示

据中国经济时报最新报道,在2023中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会上,郝跃院士表示,虽然氧化物半导体离产业化应用还有一定的距离,但已经看到了其前景。与氮化镓和碳化硅相比,氧化物半导体的禁带宽度更宽,可以实现更低的损耗。但氧化物半导体也有弱点,不解决它的散热问题,就不可能实现产业化。过程热特性细节和事实依据是构建(超)宽禁带(ultrawide bandgap, UWBG)半导体功率器件自洽的热电耦合模型、开展稳/瞬态热电数值仿真研究和热电协同优化设计的重要前提。目前针对氧化镓功率器件稳、瞬态工况下的热电特性表征手段还远不完善。我们已初步实现氧化镓功率器件在稳态工况下的同步热电特性表征方法;氧化镓二极管在瞬态工况下的同步热电特性表征方法;氧化镓沟槽型二极管器件级热电协同设计的探索(ISPSD 2023)。我们将持续关注氧化镓功率器件热电协同优化设计及高温高可靠应用的关键问题。